[发明专利]一种背光源及其制作方法

摘要

本发明公开了一种背光源及其制作方法，属于半导体技术领域。所述背光源包括芯片、封装胶体、封装支架、取光调控层和出光调控层，封装支架上开设有凹槽，出光调控层设置在封装胶体上，取光调控层设置在出光调控层和凹槽的底面之间；出光调控层由光学薄膜组成，对第一入射光线的反射率小于或等于设定值，对第二入射光线的反射率大于设定值；第一入射光线和第二入射光线为芯片发出并射入出光调控层的光线，第一入射光线的入射角度在设定范围内，第二入射光线的入射角度在设定范围外；取光调控层对第二入射光线的反射率大于所述设定值；当取光调控层与出光调控层平行设置时，平行设置的两个表面中至少一个为非镜面。本发明有利于背光源的大规模生产。

主权项

1.一种背光源，所述背光源包括芯片、封装胶体和封装支架，所述封装支架上开设有凹槽，所述芯片设置在所述凹槽的底面上，所述封装胶体填满所述凹槽内的空间，其特征在于，所述背光源还包括取光调控层和出光调控层，所述出光调控层设置在所述封装胶体上，所述取光调控层设置在所述出光调控层和所述凹槽的底面之间；所述出光调控层由光学薄膜组成，所述出光调控层对第一入射光线的反射率小于或等于设定值，且所述出光调控层对第二入射光线的反射率大于所述设定值；所述第一入射光线和所述第二入射光线为所述芯片发出并射入所述出光调控层的光线，所述第一入射光线射入所述出光调控层的入射角度在设定范围内，所述第二入射光线射入所述出光调控层的入射角度在所述设定范围外；所述取光调控层对所述第二入射光线的反射率大于所述设定值；当所述取光调控层与所述出光调控层平行设置时，所述取光调控层朝向所述出光调控层的表面和所述出光调控层朝向所述取光调控层的表面中的至少一个为非镜面。