[发明专利]一种N型双面太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，N型双面太阳能电池的P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：提供一N型硅片；在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应；其中，在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层包括：在所述N型硅片的正面印刷多个硼浆区，所述硼浆区与所述P型重掺杂区一一对应；采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，形成所述P型扩散层，其中，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；以及，采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理包括：采用三溴化硼为硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，其中，首先进行第一次硼扩散处理，其相应扩散时间为8min~15min，包括端点值，且扩散温度为905℃~910℃，包括端点值；而后进行第二次硼扩散处理，其相应扩散时间为20min~30min，包括端点值，且扩散温度为960℃~990℃，包括端点值。