[发明专利]光掩膜承载盒以及光掩膜装置的承载及清洁方法在审
申请号: | 201711348626.1 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109932866A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 刘子汉;林重宏;温志伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/66 | 分类号: | G03F1/66;G03F1/82 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种光掩膜承载盒用以承载光掩膜装置,光掩膜承载盒包括壳体以及抽气装置。壳体包括容置空间、进气孔以及抽气口,光掩膜装置设置于容置空间内,且进气孔经配置以将清洁气体注入壳体的容置空间内。抽气装置设置于壳体上,以对容置空间进行抽气。本发明实施例更提供一种光掩膜装置的承载及清洁方法。 | ||
搜索关键词: | 光掩膜 容置空间 壳体 承载盒 抽气装置 进气孔 承载 清洁气体 装置设置 清洁 抽气口 抽气 配置 | ||
【主权项】:
1.一种光掩膜承载盒,用以承载光掩膜装置,其特征在于,包括:壳体,包括容置空间、进气孔以及抽气口,所述光掩膜装置设置于所述容置空间内,且所述进气孔经配置以将清洁气体注入所述壳体的所述容置空间内;以及抽气装置,设置于所述壳体上并对应所述抽气口,以对所述容置空间进行抽气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711348626.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备