[发明专利]还原氧化石墨烯的制备方法和空穴注入材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711349149.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935669B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种还原氧化石墨烯的制备方法和空穴注入材料及其制备方法。该还原氧化石墨烯的制备方法，包括如下步骤：提供氧化石墨烯；将所述氧化石墨烯溶于富氢水中，在碱性环境下进行第一加热处理，得还原氧化石墨烯溶液。该制备方法获得的还原氧化石墨烯使载流子浓度增加，电阻率减小，有利于器件空穴输运，因此可得到更理想、空穴迁移率更高的还原氧化石墨烯材料。 | ||
| 搜索关键词： | 还原 氧化 石墨 制备 方法 空穴 注入 材料 及其 | ||
【主权项】：
1.一种还原氧化石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供氧化石墨烯；将所述氧化石墨烯溶于富氢水中，在碱性环境下进行第一加热处理，得还原氧化石墨烯溶液。
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