[发明专利]基于三极管的TSV转接板及其制备方法有效
| 申请号： | 201711349158.X | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108109958B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于三极管的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底内制备三极管；刻蚀所述Si衬底分别在所述三极管两侧形成隔离沟槽和TSV；在所述隔离沟槽填充SiO |
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| 搜索关键词： | 基于 三极管 tsv 转接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于三极管的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取Si衬底；S102、在所述Si衬底内制备三极管；S103、刻蚀所述Si衬底分别在所述三极管两侧形成隔离沟槽和TSV；S104、在所述隔离沟槽填充SiO2 形成隔离区；S105、在所述TSV填充铜材料形成TSV区；S106、在所述Si衬底上表面制备所述TSV区的第一端面与所述三极管的互连线；S107、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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