[发明专利]半导体功率器件、半导体功率器件的分压环结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711350262.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108091686A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的分压环结构及其制作方法。所述分压环结构包括N型衬底、形成与所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层上的多条从内到外依序排列的分压环、形成于所述N型外延层上且连接于相邻两条分压环之间的N型深结、及形成于所述N型深结上且连接于相邻两条分压环之间的交替排列的P型浅结及N型浅结。 | ||
| 搜索关键词： | 分压环 半导体功率器件 衬底 浅结 交替排列 依序排列 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件的分压环结构，其特征在于：所述分压环结构包括N型衬底、形成与所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层上的多条从内到外依序排列的分压环、形成于所述N型外延层上且连接于相邻两条分压环之间的N型深结、及形成于所述N型深结上且连接于相邻两条分压环之间的交替排列的P型浅结及N型浅结。
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