[发明专利]互连结构的蚀刻轮廓控制有效
| 申请号： | 201711350343.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807263B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 柯宇伦;邱意为;张宏睿;郭昱纬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；以及在金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层。该方法进一步包括在ILD层上方形成沟槽蚀刻开口，在沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层，以及在覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。本发明实施例涉及互连结构的蚀刻轮廓控制。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 蚀刻 轮廓 控制 | ||
【主权项】：
1.一种形成互连结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上方形成低温氧化物层；在所述低温氧化物层上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层中形成通孔蚀刻开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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