[发明专利]一种大豆自根苗嫁接用于降低后代镉污染的方法有效

专利信息
申请号: 201711351122.5 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN108093910B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 刘继;郑旗;郭奇亮;张正周;涂彩虹;狄飞达;刘一静;雷春龙;姚欢;林立金;廖明安 申请(专利权)人: 成都市农林科学院
主分类号: A01G2/30 分类号: A01G2/30
代理公司: 成都帝鹏知识产权代理事务所(普通合伙) 51265 代理人: 黎照西
地址: 611130 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种大豆自根苗嫁接用于降低其后代镉污染的方法,属于植物重金属污染修复技术领域。本发明所述所述方法是采用大豆异株异苗嫁接,所述异株异苗嫁接是将两株不同大小的大豆分别作为砧木和接穗进行嫁接,所述砧木选自株高为10cm的大豆,从离地6cm处剪断作为砧木;所述接穗选自株高为5cm的大豆上部苗,接穗长度为4cm。本发明提供的嫁接方法,所得大豆嫁接后代的镉含量与未嫁接相比显著降低,且经过三代种子育苗栽培,嫁接第三代大豆作物中的镉含量仍然得以显著降低。能够很好用于大豆后代中镉污染的修复,可为现有镉污染土地中大豆的安全生产栽培提供有效的解决办法。
搜索关键词: 一种 大豆 根苗 嫁接 用于 降低 后代 污染 方法
【主权项】:
1.一种大豆自根苗嫁接用于降低其后代镉污染的方法,其特征在于,所述自根苗嫁接为采用异株异苗嫁接,所述异株异苗嫁接是将两株不同大小的大豆分别作为砧木和接穗进行嫁接,所述砧木选自株高为10cm的大豆,从离地6cm处剪断作为砧木;所述接穗选自株高为5cm的大豆上部苗,接穗长度为4cm。
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