[发明专利]开关元件的制造方法有效
| 申请号： | 201711351298.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108242399B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 山田哲也;上田博之;森朋彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种开关元件的制造方法，包括如下工序：在第一n型半导体层向表面露出的GaN半导体基板的所述表面形成凹部；使p型的体层在所述凹部内和所述GaN半导体基板的所述表面生长；将所述体层的表层部除去，使所述第一n型半导体层向所述GaN半导体基板的所述表面露出并且使所述体层残留在所述凹部内；形成通过所述体层而从所述第一n型半导体层分离并且向所述GaN半导体基板的所述表面露出的第二n型半导体层；及形成隔着绝缘膜与所述体层对向的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种开关元件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在第一n型半导体层向表面露出的GaN半导体基板的所述表面形成凹部；使作为p型的GaN半导体层的体层在所述凹部内和所述GaN半导体基板的所述表面生长；将所述体层的表层部除去，使所述第一n型半导体层向所述GaN半导体基板的所述表面露出并且使所述体层残留在所述凹部内；在除去所述体层的所述表层部之后，在所述体层的分布区域内的一部分形成第二n型半导体层，该第二n型半导体层通过所述体层而从所述第一n型半导体层分离，并且向所述GaN半导体基板的所述表面露出；及在除去所述体层的所述表层部之后，在所述GaN半导体基板的所述表面的在所述第一n型半导体层与所述第二n型半导体层之间所述体层露出的范围内形成栅电极，该栅电极隔着绝缘膜与所述体层对向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711351298.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在晶片表面形成复杂曲面的方法
- 下一篇：封装载板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
