[发明专利]光学多弧离子镀方法及其装置在审

专利信息
申请号: 201711351721.7 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN109930115A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 祝海生;孙桂红;陈立;凌云;黄夏;黄国兴 申请(专利权)人: 湘潭宏大真空技术股份有限公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 411100 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了光学多弧离子镀方法,包括步骤a)基片传送入真空室;步骤b)在真空室内采用一多弧靶对基片进行光学多弧离子镀;步骤c)基片进行光学多弧离子镀后传送出真空室;所述多弧靶包括阴极和引弧电极,所述阴极的一端与引弧电极的一端绝缘连接,所述阴极为一内部设有磁棒和靶背管的靶材,所述磁棒和靶背管相邻设置,所述磁棒为一嵌有一磁性组件的绝缘棒,所述引弧电极通过一电磁阀控制其与阴极不相连的一端与阴极表面接触和分离。与现有技术相比,本发明提供的光学多弧离子镀方法在阴极中加装了磁性组件,可使金属离化率更高,镀膜刻蚀均匀,基片表面膜层均一性更佳,因此其应用前景十分广阔。
搜索关键词: 多弧离子镀 阴极 引弧电极 磁棒 磁性组件 真空室 背管 电磁阀控制 基片表面 基片传送 绝缘连接 相邻设置 阴极表面 绝缘棒 均一性 靶材 镀膜 刻蚀 离化 膜层 嵌有 传送 金属 室内 应用
【主权项】:
1.光学多弧离子镀方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤a)基片传送入真空室;步骤b)在真空室内采用一多弧靶对基片进行光学多弧离子镀;步骤c)基片进行光学多弧离子镀后传送出真空室;所述多弧靶包括阴极(1)和引弧电极(2),所述阴极(1)的一端与引弧电极(2)的一端绝缘连接,所述阴极(1)为一内部设有磁棒(11)和靶背管的靶材,所述磁棒(11)和靶背管相邻设置,所述磁棒(11)为一嵌有一磁性组件的绝缘棒,所述引弧电极(2)通过一电磁阀控制其与阴极(1)不相连的一端与阴极(1)表面接触和分离。
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