[发明专利]激光热处理装置和处理方法有效
| 申请号： | 201711352251.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935532B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 周炯;李志丹;张俊 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种激光热处理装置，包括：激光器、光源调整模块、工件台模块和工件旋转模块，所述工件旋转模块安装在所述工件台模块上，所述激光器发出的光经所述光源调整模块调整后形成光斑，所述工件台模块带动工件接收所述光斑，所述工件旋转模块配置为带动所述工件旋转以使所述光斑照射区域覆盖所述工件的待处理区域。本发明还提供了一种激光热处理装置和处理方法,通过工件旋转模块带动工件旋转实现对工件的激光热处理，产率将直接和工件台转速，以及旋转的圈数直接相关，提升了热处理效率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 热处理 装置 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光热处理装置，其特征在于，包括：激光器、光源调整模块、工件台模块和工件旋转模块，所述工件旋转模块安装在所述工件台模块上，所述激光器发出的光经所述光源调整模块调整后形成光斑，所述工件台模块带动工件接收所述光斑，所述工件旋转模块配置为带动所述工件旋转以使所述光斑照射区域覆盖所述工件的待处理区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
