[发明专利]一种多晶硅片的制绒方法在审
| 申请号： | 201711352630.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108063170A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 何广东;金井升;张昕宇;金浩;赵世杰 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多晶硅片的制绒方法，包括利用第一种酸溶液对多晶硅片进行第一次刻蚀，并进行第一次清洗；利用酸雾对所述多晶硅片进行第一次雾化，并进行第二次清洗；利用碱溶液对所述多晶硅片进行腐蚀，并进行第三次清洗；利用碱雾对所述多晶硅片进行第二次雾化，并进行第四次清洗；利用第二种酸溶液对所述多晶硅片进行第二次刻蚀，并进行第五次清洗；利用酸雾对所述多晶硅片进行第三次雾化，并进行第六次清洗。上述多晶硅片的制绒方法，能够改善硅片在制绒过程中各区域反射率不均匀和存在杂质而导致少子寿命低的问题，增加硅片对太阳光的吸收，提高电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括：利用第一种酸溶液对多晶硅片进行第一次刻蚀，并进行第一次清洗；利用酸雾对所述多晶硅片进行第一次雾化，并进行第二次清洗；利用碱溶液对所述多晶硅片进行腐蚀，并进行第三次清洗；利用碱雾对所述多晶硅片进行第二次雾化，并进行第四次清洗；利用第二种酸溶液对所述多晶硅片进行第二次刻蚀，并进行第五次清洗；利用酸雾对所述多晶硅片进行第三次雾化，并进行第六次清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
