[发明专利]表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711353514.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935670B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;梁柱荣;杨一行;向超宇;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法。所述表面配体为说明书式I所示的化合物：其中，n为大于或等于1的整数；当n＝1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少两个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团；当n＞1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少一个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团。该表面配体是一种含有共轭结构的化合物，一方面能够同时锚定多个量子点，形成交联的量子点薄膜，具有交联分散性，以提高量子点薄膜的稳定性；另一方面，该表面配体因具有巨大的共轭结构，可有效地提高载流子的传输，从而提高器件的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 量子 薄膜 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面配体，其特征在于，所述表面配体为如下式I所示的化合物：![]()
其中，n为大于或等于1的整数；当n＝1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少两个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团；当n＞1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少一个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团。
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