[发明专利]一种太赫兹波段极化不敏感的五频带超材料吸波器在审
| 申请号： | 201711359942.9 | 申请日： | 2017-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919534A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;王红燕;朱巧芬 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种太赫兹波段极化不敏感的五频带超材料吸波器。该超材料吸波器由多个吸波器单元构成，吸波器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜1，中间损耗介质层2和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜1、中间损耗介质层2和顶层金属薄膜之间相互贴合。所述底层金属薄膜1是全金属薄膜，顶层金属薄膜是圆环31和圆环32组成，圆环31的几何中心、圆环32的几何中心、中间损耗介质层2的几何中心以及底层金属薄膜1的几何中心在一条直线上。本发明提供的超材料吸波器具有高吸收率、极化不敏感特性，并且有五个吸收峰值点，具有很高的工程应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 波段 极化 敏感 频带 材料 吸波器 | ||
【主权项】：
一种太赫兹波段极化不敏感的五频带超材料吸波器，其特征在于：该超材料吸波器由多个吸波器单元构成，吸波器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜1，中间损耗介质层2和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜1、中间损耗介质层2和顶层金属薄膜之间相互贴合。所述底层金属薄膜1是全金属薄膜，顶层金属薄膜是圆环31和圆环32组成，圆环31的几何中心、圆环32的几何中心、中间损耗介质层2的几何中心以及底层金属薄膜1的几何中心在一条直线上。
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