[发明专利]一种硅片表面处理方法在审
| 申请号： | 201711360731.7 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935528A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵而敬;曹孜;王永涛;刘建涛;韩晨华;郑捷;张静;张建;张岩 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片表面处理方法，该方法包括以下步骤：(1)选取洁净的抛光硅片或者外延硅片；(2)对硅片表面进行高温氧化，生长氧化膜层；(3)使用取样液进行表面处理取样，通过对取样液进行分析测试，获得硅片表面金属含量，评估硅片表面金属沾污情况。采用本发明的硅片表面处理方法，可以快速、高效、批量的进行硅片表面处理，及时的测试分析硅片表面金属的含量，达到监控硅片表面金属水平的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片表面处理 硅片表面 取样液 金属 表面金属 测试分析 分析测试 高温氧化 监控硅片 金属沾污 抛光硅片 外延硅片 氧化膜层 取样 洁净 生长 评估 | ||
【主权项】：
1.一种硅片表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)选取洁净的抛光硅片或者外延硅片；(2)对硅片表面进行高温氧化，生长氧化膜层；(3)使用取样液进行表面处理取样，通过对取样液进行分析测试，获得硅片表面金属含量，评估硅片表面金属沾污情况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
