[发明专利]一种勿忘我的组培方法有效
| 申请号： | 201711361747.X | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107960325B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 许维和 | 申请（专利权）人： | 云南汇通银河科技开发有限公司 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 11411 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张正美<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 650500 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于生物技术领域，具体涉及一种勿忘我的组培方法，包括如下步骤：S1、脱毒；S2、脱分化；S3、增殖培养；S4、再分化；S5、炼苗。本发明中，在脱分化培养基中加入了甘草浸膏，在增殖培养基中加入了薄荷脑，在再分化培养基中加入灯盏花素，提高了勿忘我组培苗幼苗的生根率和生根数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 勿忘我 方法 | ||
【主权项】：
1.一种勿忘我的组培方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、脱毒：将勿忘我的离体组织置于0.05％～0.2％氯化汞溶液中消毒3～30分钟，然后用无菌水清洗0～5次；/nS2、脱分化：将脱毒的离体组织置于脱分化培养基上，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养，得愈伤组织；/nS3、增殖培养：将愈伤组织转移至增殖培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为5～16小时/天的条件下培养；/nS4、再分化：将增殖后愈伤组织转移至再分化培养基中，在温度为15～28℃、光照强度为3000～8000Lx、光照时间为8～16小时/天的条件下培养10～20天，得生根苗；/nS5、炼苗：将生根苗从培养瓶中取出，用清水洗净培养基，栽培在pH值5～8、EC值500～25000μS/cm的营养土中，光照强度3000～20000Lx，15～25天后得可移栽的勿忘我幼苗；/n所述脱分化培养基的组分及其含量为：MS+6-BA 0.2～1.0mg/L+NAA 0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.5～1.7mg/L；/n或N6+6-BA 0.2～1.0mg/L+NAA 0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.5～1.3mg/L；/n或B5+6-BA 0.2～1.0mg/L+NAA 0.1～0.6mg/L+甘草浸膏0.1～1.5mg/L；/n所述增殖培养基的组分及其含量为：MS+6-BA 0.05～7.0mg/L+NAA 0.05～0.8mg/L+薄荷脑0.2～0.8mg/L；/n或N6+6-BA 0.05～7.0mg/L+NAA 0.05～0.8mg/L+薄荷脑0.1～0.5mg/L；/n或B5+6-BA 0.05～7.0mg/L+NAA 0.05～0.8mg/L+薄荷脑0.3～0.9mg/L；/n所述再分化培养基的组分及其含量为：1/2MS+NAA 0.1～1.0mg/L+IBA 0.2～2.0mg/L+灯盏花素0.4～2.0mg/L；/n或N6+NAA 0.1～1.0mg/L+IBA 0.2～2.0mg/L+灯盏花素0.5～1.5mg/L；/n或B5+NAA 0.1～1.0mg/L+IBA 0.2～2.0mg/L+灯盏花素0.9～1.5mg/L。/n
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