[发明专利]焦平面阵列探测器倒装焊对接方法有效
申请号: | 201711361997.3 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108122794B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 董绪丰;陈扬;柳聪;黄晓峰 | 申请(专利权)人: | 中电科技集团重庆声光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L31/102 |
代理公司: | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人: | 刘佳 |
地址: | 401332 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供一种焦平面阵列探测器倒装焊对接方法,包括:在焦平面探测器芯片和读出电路芯片两芯片中的一个上形成定位柱阵列,另一个上形成与定位柱阵列对应的定位孔阵列,两芯片上都设置有凸点阵列,定位柱阵列和定位孔阵列环绕对应的凸点阵列,定位柱阵列中定位柱的底面截面积和定位孔阵列中定位孔的表面截面积大于凸点阵列中凸点的底面截面积;利用倒装焊机使定位柱阵列与定位孔阵列对齐,将定位柱推到对应定位孔内,从而实现预对准;加热所述两芯片,使凸点阵列熔化,在凸点液态表面张力作用下,两芯片朝着对齐方向相对移动,实现了对位偏差的修正,并且凸点液态冷却后重回固态,将两芯片焊接为一体;移除定位柱阵列。本发明提高了对位准确度。 | ||
搜索关键词: | 定位柱 凸点 定位孔 芯片 焦平面阵列探测器 对齐 倒装焊 底面 表面张力作用 读出电路芯片 焦平面探测器 熔化 对位准确度 对位偏差 方向相对 芯片焊接 液态冷却 中定位孔 焊机 面积和 预对准 倒装 移除 中凸 加热 环绕 修正 移动 | ||
【主权项】:
1.一种焦平面阵列探测器倒装焊对接方法,其特征在于,包括:在焦平面探测器芯片和读出电路芯片两芯片中的一个上形成定位柱阵列,另一个上形成与所述定位柱阵列对应的定位孔阵列,所述两芯片上都设置有凸点阵列,所述定位柱阵列和定位孔阵列环绕对应的凸点阵列,所述定位柱阵列中定位柱的底面截面积和定位孔阵列中定位孔的表面截面积大于所述凸点阵列中凸点的底面截面积,其中,所述定位柱阵列按照以下步骤制作:在对应芯片上涂覆光刻胶,通过曝光显影的方式移除多余光刻胶,保留定位柱区域的光刻胶;高温烘烤对应芯片,使光刻胶液化,在液体张力作用下,在对应芯片上收缩形成球冠状的多个定位柱,从而构成定位柱阵列;所述定位孔阵列按照以下步骤制作:在对应芯片上制备钝化层;通过光刻的方式,在除定位孔以外的区域用光刻胶进行保护;采用湿法腐蚀的方法,在对应芯片上形成倒梯形方孔,从而构成定位孔阵列;利用倒装焊机使所述定位柱阵列与定位孔阵列对齐,并将定位柱推到对应定位孔内,从而实现预对准;加热所述两芯片,使所述凸点阵列熔化,在凸点液态表面张力作用下,所述两芯片朝着对齐方向相对移动,实现了对位偏差的修正,并且凸点液态冷却后重回固态,将所述两芯片焊接为一体;以及移除所述定位柱阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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