[发明专利]单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法在审
| 申请号： | 201711362404.5 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108154893A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李瑞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C11/40 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 王倩 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法，通过调节晶体管参数来确定SRAM单元上电后的初值，确保电路的状态的稳定性，增强电路的可靠性的设计。本发明可以实现CMOS器件六管结构的SRAM单元伴随电源上电而确定固定初始态的作用。实现带有该SRAM单元的大规模集成电路内部线网建立明确的电位，提升器件的可靠性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 上电 大规模集成电路 电位 晶体管参数 输出 提升器件 增强电路 初始态 管结构 线网 电路 电源 | ||
【主权项】：
单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法，其特征在于，通过调节晶体管参数来确定SRAM单元上电后的初值，包括以下步骤：通过调节电路中所有NMOS和PMOS晶体管的掺杂浓度调节晶体管开启的阈值电压；调整锁存电路的晶体管沟长和沟宽尺寸；SRAM单元上电后，当输入数据的晶体管MN2的源极即B端为逻辑“0”，同时晶体管MN3的漏极即BN端为逻辑“1”，控制信号W被充电到vdd电压时，晶体管MN2和MN3处于开启导通状态，即MN2的漏极处于低电平状态，MN3的源极AN端为高电平，晶体管MP0管开启而处于导通状态，输出QN为高电平“1”，引起MN1晶体管打开处于导通状态；此时，SRAM单元中Q即MN1晶体管的漏极为低电平，即MP0和MN0构成的第一反相器的输出端QN输出逻辑信号“1”。
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