[发明专利]一种带有钝化层的GaN‑HEMT芯片的制作工艺在审
| 申请号： | 201711364203.9 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107895740A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 闫稳玉;吴伟东;张薇葭;王占伟;刘双昭;王旭东;赵利 | 申请（专利权）人： | 山东聚芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有钝化层的GaN‑HEMT芯片的制作工艺，其中由GaN外延片为原材料，通过MESA光刻工艺，进行ICP刻蚀，然后在MESA后的外延片上涂一层光刻胶，用SD光刻板在MESA后的外延片上形成SD电极的图形，然后进行金属淀积，形成欧姆接触；制作G极金属，形成肖特基接触，则完成G极制作；以等离子增强化学气相沉积（PECVD）方式在氮化镓铝层外层形成一层钝化层，钝化层厚度高于S、D电极的高度；定点刻蚀覆盖于电极区上方的钝化层，露出钝化层；优点为本发明有效抑制电流崩塌、提升击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 钝化 gan hemt 芯片 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种带有钝化层的GaN‑HEMT芯片的制作工艺，其特征在于：所述的带有钝化层的GaN‑HEMT芯片的制作工艺步骤为：1）由GaN外延片（4）为原材料，通过MESA光刻工艺，进行ICP刻蚀，然后在MESA后的外延片上涂一层光刻胶，用SD光刻板在MESA后的外延片上形成SD电极的图形，然后进行金属淀积，形成欧姆接触；制作G极金属，形成肖特基接触，则完成G极（2）制作；2）以等离子增强化学气相沉积（PECVD）方式在氮化镓铝层外层形成一层钝化层（3），钝化层（3）厚度高于S极（1）、D极（5）的高度；3）定点刻蚀覆盖于电极区上方的钝化层（3），露出钝化层（3）。
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