[发明专利]形成图形的方法有效
| 申请号： | 201711364263.0 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109935515B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王函隽;刘凯铭;林金隆;李易修 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种形成图形的方法，其步骤包含使用第一光掩模对一光致抗蚀剂进行第一次曝光制作工艺、使用第二光掩模对该光致抗蚀剂进行第二次曝光制作工艺，其中第二光掩模中的第二长方形开口图案会与第一光掩模中的第一长方形开口图案的角落彼此重叠、以及进行一显影制作工艺移除该光致抗蚀剂在两次曝光制作工艺中未受到曝光的部位，以在其中形成交错排列的孔状图形。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成图形的方法，其特征在于，包含：提供一光致抗蚀剂；使用第一光掩模对该光致抗蚀剂进行第一次曝光制作工艺，其中该第一光掩模具有阵列排列的第一长方形开口图案；使用第二光掩模对该光致抗蚀剂进行第二次曝光制作工艺，其中该第二光掩模具有阵列排列的第二长方形开口图案，且该些第二长方形图案与该些第一长方形开口图案的角落彼此重叠；以及进行一显影制作工艺移除该光致抗蚀剂在该第一次曝光制作工艺以及该第二次曝光制作工艺中未受到曝光的部位，如此在该光致抗蚀剂中形成交错排列的孔状图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司，未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711364263.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
