[发明专利]集成散热结构的硅基扇出型封装及晶圆级封装方法在审

专利信息
申请号: 201711364900.4 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN107946254A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 王腾 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 昆山中际国创知识产权代理有限公司32311 代理人: 段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种集成散热结构的硅基扇出型封装及晶圆级封装方法,基于硅基扇出型封装技术,在埋入芯片后硅基体的第二表面直接制作散热结构,由晶圆级制程制造,加工精度高,过程简单,价格低。和传统机械加工的散热片相比,本发明可以在硅基体上直接使用硅微加工工艺制作尺寸更加精细的散热结构,在同样的单位体积内创造出更大的散热面积,实现了更好的散热效果。这种散热结构直接在埋入硅基板的芯片背面集成,集成密度高、体积小、重量轻。并且减少了外界环境与芯片之间的界面,进一步提高了散热效果。较佳的,可以在硅基体第二表面的散热结构上集成具有强制水冷的散热盖板,获得更高的散热效率。
搜索关键词: 集成 散热 结构 硅基扇出型 封装 晶圆级 方法
【主权项】:
一种集成散热结构的硅基扇出型封装,包括一硅基体,所述硅基体具有第一表面和第二表面,所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽,所述凹槽内设有至少一颗焊盘面向上的芯片,所述芯片的焊盘面上具有焊盘,至少有一个焊盘的电性通过导电扇出结构扇出至所述硅基体的第一表面上,其特征在于,所述硅基体的第二表面上直接制作有散热结构。
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