[发明专利]一种二维MoC纳米片的制备方法在审
申请号: | 201711365994.7 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN107902657A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 刘平;高帆;冯文辉;王瑶珠;张璐璐 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | C01B32/949 | 分类号: | C01B32/949;B82Y40/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350116 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维MoC纳米片的制备方法,属于材料制备领域。该二维MoC纳米片是以钼酸盐与氰胺混合物为前驱盐,在惰性气氛下通过多阶热处理制备得到。本发明原料易得,制备方法简便,制得的二维MoC纳米片稳定性好,在光电催化、纳米能源、复合材料等领域表现出巨大的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 moc 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二维MoC纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:将氰胺类化合物分散在甲醇中,用无机酸调节溶液的pH为2~6,之后搅拌1~4 h得到溶液A;步骤二:将四水合七钼酸铵超声溶解于醇水混合液中,得溶液B,将溶液B逐滴加入到溶液A中,在水浴条件下搅拌至溶剂挥发完毕,得到白色固体状钼的前驱物,研磨备用;步骤三:将步骤二得到的白色固体状钼的前驱物盛在坩埚中,置于程序控温的管式炉中,在惰性气氛保护下,以2~20 ℃·min‑1 的升温速率升到400~500 ℃保温1~3 h,然后以2~20 ℃·min‑1的升温速率升到600~800 ℃保温1~3 h后自然降温,得到黑色固体MoC,然后用去离子水和乙醇经过洗涤后干燥,得到二维MoC纳米片。
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