[发明专利]多尺寸硅沟槽的填充方法

摘要

一种多尺寸硅沟槽的填充方法包括以下步骤：提供硅衬底，在硅衬底的一侧依次形成第一、第二沟槽、第一阻挡层、第一多晶硅，其中第一多晶硅将第一沟槽填满，第二沟槽未被第一多晶硅填满；在第一多晶硅上形成第二阻挡层，第二阻挡层未将第二沟槽填满；在第二阻挡层上形成第二多晶硅，第二多晶硅将第二沟槽填满；对第二多晶硅进行第一次回刻蚀，使得第二沟槽外侧的第二多晶硅被去除，第二沟槽中的第二多晶硅被保留；去除第二沟槽外侧的第二阻挡层，第二沟槽中的第二阻挡层及第二多晶硅均被保留；对第一多晶硅进行第二次回刻蚀，去除第一、第二沟槽外侧的第一多晶硅；去除第一、第二沟槽外侧的第一阻挡层、第一、第二沟槽上方的部分第二阻挡层。

主权项

一种多尺寸硅沟槽的填充方法，其特征在于：所述填充方法包括以下步骤：提供硅衬底，在所述硅衬底的一侧形成第一沟槽及第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；在所述硅衬底的所述第一沟槽与所述第二沟槽所在一侧形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第一多晶硅，其中所述第一多晶硅将所述第一沟槽填满，所述第二沟槽未被所述第一多晶硅填满；在所述第一多晶硅上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层未将所述第二沟槽填满；在所述第二阻挡层上形成第二多晶硅，所述第二多晶硅将所述第二沟槽填满；使用各向同性干法刻蚀工艺对所述第二多晶硅进行第一次回刻蚀，所述第一次回刻蚀中，对所述第二多晶硅的刻蚀速率大于对下层第二阻挡层的刻蚀速率，使得所述第二沟槽外侧的第二多晶硅被去除，所述第二沟槽中的第二多晶硅被保留；去除所述第二沟槽外侧的第二阻挡层，所述第二沟槽中的第二阻挡层及第二多晶硅均被保留；对所述第一多晶硅进行第二次回刻蚀，去除所述第一沟槽及第二沟槽外侧的第一多晶硅；去除所述第一沟槽及第二沟槽外侧的第一阻挡层、所述第一沟槽及第二沟槽上方的部分第二阻挡层。