[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法在审
| 申请号： | 201711366939.X | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109935561A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李孟;罗广豪;李幸辉 | 申请（专利权）人： | 镓能半导体（佛山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 齐胜杰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道宝石*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，所述氮化镓器件包括：设计好走线的覆铜PCB板(陶瓷或铝基的覆铜PCB板)和焊接在覆铜PCB板上的硅芯片和氮化镓芯片，硅芯片和氮化镓芯片之间采用Cascode的方式连接，其中，所述硅芯片正装在覆铜PCB板上，氮化镓芯片倒装在覆铜PCB板上。氮化镓器件主要使用覆铜PCB板上的走线实现所述氮化镓芯片和所述硅芯片之间的电气连接；其中，所述硅芯片的漏极直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接；所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极位于朝向覆铜PCB板的面上，且所述氮化镓芯片的源极、栅极和漏极均直接与覆铜PCB板内走线上的焊盘焊接。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 覆铜 氮化镓器件 氮化镓芯片 硅芯片 漏极 焊接 内走线 焊盘 源极 封装 电气连接 散热效果 制备工艺 倒装 铝基 正装 走线 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓器件，包括基板和Cascode级联在所述基板上的硅芯片和氮化镓芯片，其特征在于，所述硅芯片正装在所述基板上，所述氮化镓芯片倒装在所述基板上。
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