[发明专利]多晶硅高阻结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201711367190.0 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108063128B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 胡佳威 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 321100 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻外围与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅高阻 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅高阻结构，其特征在于：所述多晶硅高阻结构包括：衬底，形成于所述衬底上的多晶硅高阻层，形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻层外围与所述多晶硅高阻层间隔设置的多晶硅低阻层，形成于所述衬底、所述多晶硅高阻层与所述多晶硅低阻层上的钝化层，贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅高阻层的第一接触孔，贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻层的第二接触孔，形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻层，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻层。/n
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