[发明专利]缺陷分析有效
| 申请号： | 201711367537.1 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108231617B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | T·G·米勒 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑勇 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于分析缺陷的系统，包括：使用晶片检查工具确定缺陷的坐标；识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；引导聚焦离子束朝向所述晶片以暴露所述感兴趣结构；以及形成所暴露的感兴趣结构的图像，其中引导所述聚焦离子束以在与所识别的感兴趣结构相对应的位置处而非在缺陷坐标处进行铣削。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 分析 | ||
【主权项】：
1.一种用于分析电路缺陷的方法，包括：使用晶片检查工具确定晶片上缺陷的坐标；识别缺陷坐标附近的感兴趣结构；利用聚焦离子束形成包括所述感兴趣结构的TEM片晶，其中所述TEM片晶是基于所识别的结构而不是缺陷坐标从一区域中形成，并且其中引导所述聚焦离子束以在与所识别的感兴趣结构相对应的位置处而非在缺陷坐标处进行铣削；以及形成感兴趣结构的TEM图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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