[发明专利]大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统在审
| 申请号： | 201711368149.5 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108133731A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张战刚;雷志锋;何玉娟;彭超;师谦;黄云;恩云飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G01R31/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘艳丽 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统，通过对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。在此方案中，所述测量数据为对SRAM进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据，所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的SRAM器件失效率的准确度，从而实现SRAM器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价，解决我国目前SRAM器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 测量数据 失效率 单粒子效应检测 单粒子效应 总容量 诱发 准确度 电子器件 准确定量 检测 辐射 | ||
【主权项】：
一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所，未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711368149.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
