[发明专利]一种N型IBC太阳电池的制作方法在审
| 申请号： | 201711368340.X | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107946410A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 梁兴芳;柯雨馨;许新湖 | 申请（专利权）人： | 阳光中科（福建）能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N型IBC(Interdigitated back contact)太阳电池的制作方法，所述方法包括如下步骤首先硅片双面清洗；再背面硼扩散；扩散面掩膜(SiNx)等离子化学气相沉积；然后硅片正面单面制绒；正面硼扩散形成前浮动发射极；再硅片双面硼玻璃及掩膜去除；硅片前表面钝化及减反膜等离子化学沉积SiO2/SiNx；硅片背面硼扩散面激光图形化；激光图形化的部分磷扩散形成背表面场；接着硅片背面钝化膜沉积；丝网印刷硼电极(正电极)；丝网印刷磷电极(负电极)；最后硅片烧结处理。本发明由扩硼的前浮动发射极取代传统扩磷的前表面场，减少光生载流子的行径距离，减少表面复合的机会，所以得到最高的短路电流，且方便金属化工艺及组件工艺的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ibc 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种N型IBC太阳电池的制作方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：硅片双面清洗；硅片背面硼扩散；扩散面掩膜(SiNx)等离子化学气相沉积；硅片正面单面制绒；正面硼扩散形成前浮动发射极(FFE)；硅片双面硼玻璃(BSG)及掩膜(SiNx)去除；硅片前表面钝化及减反膜等离子化学沉积SiO2/SiNx；硅片背面硼扩散面激光图形化；激光图形化的部分磷扩散形成背表面场(BSF)；硅片背面钝化膜(SiO2)沉积，用炉管干氧法；丝网印刷硼电极(正电极)；丝网印刷磷电极(负电极)；硅片烧结处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阳光中科（福建）能源股份有限公司，未经阳光中科（福建）能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711368340.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
