[发明专利]具有用于电子束操作的局部抽空容积的集成电路分析系统和方法有效
申请号: | 201711368608.X | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108226737B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | Y·博布罗夫;C·A·坎波基亚罗 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑勇 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供用于在IC半导体装置中进行故障分析的新技术,包括用以在正在电刺激受测装置(DUT)的同时或在所述装置靠其自身或在安装于电路板或其它模块中的主机系统内活动的同时实现在IC受测装置(DUT)内使用电子束技术进行电路探测的系统设计和方法。所述DUT可为封装IC或呈某种未封装形式的IC。为了在紧靠电子束工具外部创建局部抽空容积,抵靠或围绕所述DUT密封密封元件以获得局部密封。此类布置使得不需要对操作并监视所述DUT所需的可能成千上万信号进行真空馈通,并且进一步实现在DUT正在其正常环境中(诸如安装在其系统中的电路板上)或在无错测试器上进行操作时探测所述DUT。 | ||
搜索关键词: | 具有 用于 电子束 操作 局部 抽空 容积 集成电路 分析 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种使用扫描电子显微镜(SEM)检查集成电路(IC)的方法,该SEM在发射电子束的一端处具有带SEM立柱开口的SEM立柱,该方法包括:围绕IC背侧上的目标区域密封所述SEM立柱开口以在所述SEM立柱开口处创建密封容积,所述目标区域形成所述密封容积的壳体的一部分;抽空所述密封容积;向所述IC的电路元件施加电压,所述电压在所述目标区域中引发电势;以及在所述目标区域上方扫描所述电子束以检测所述目标区域的表面处的所述电势。
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