[发明专利]环栅型鳍式场效应晶体管及其制作方法在审

申请号：	201711371444.6	申请日：	2017-12-18
公开（公告）号：	CN108074819A	公开（公告）日：	2018-05-25
发明（设计）人：	不公告发明人	申请（专利权）人：	深圳市晶特智造科技有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
代理公司：	深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419	代理人：	曹明兰
地址：	518000 广东省深圳市宝***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明提供了一种环栅型鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：在SOI基底形成源区、漏区和鳍部结构；在所述SOI基底表面形成氮化硅层并对其进行第一次平坦化处理，并且对所述氮化硅层进行刻蚀以使其覆盖所述鳍部结构的沟道区域；在所述SOI基底表面形成氧化硅层并对其进行第二次平坦化处理，以使得所述氧化硅层与所述氮化硅层平齐并覆盖所述源区和漏区；去除所述氮化硅层以使所述鳍部结构的沟道区域下方的氧化埋层暴露出来；对所述鳍部结构的沟道区域底部的氧化埋层进行刻蚀，以使所述沟道区域处于悬空状态；在所述鳍部结构的沟道区域表面形成栅介质层并制作栅极材料层，形成环栅结构。本发明还提供一种采用上述方法制作而成的环栅型鳍式场效应晶体管。
搜索关键词：	鳍部结构氮化硅层沟道区域鳍式场效应晶体管环栅平坦化处理基底表面氧化硅层氧化埋层制作刻蚀漏区源区沟道区域表面栅极材料层环栅结构悬空状态栅介质层覆盖基底平齐去除暴露
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【主权项】：

1.一种环栅型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：(A)在SOI基底形成源区、漏区和鳍部结构；(B)在所述SOI基底表面形成氮化硅层并对其进行第一次平坦化处理，并且对所述氮化硅层进行刻蚀以使其覆盖所述鳍部结构的沟道区域；(C)在所述SOI基底表面形成氧化硅层并对其进行第二次平坦化处理，以使得所述氧化硅层与所述氮化硅层平齐并覆盖所述源区和漏区；(D)去除所述氮化硅层以使所述鳍部结构的沟道区域下方的氧化埋层暴露出来；(E)对所述鳍部结构的沟道区域底部的氧化埋层进行刻蚀，以使所述沟道区域处于悬空状态；(F)在所述鳍部结构的沟道区域表面形成栅介质层；(G)在所述栅介质层表面制作栅极材料层，形成环栅结构。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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