[发明专利]一种紫外发光二极管及制备方法在审
申请号: | 201711371840.9 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN107910420A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 林岳明 | 申请(专利权)人: | 扬州科讯威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00 |
代理公司: | 扬州润中专利代理事务所(普通合伙)32315 | 代理人: | 谢东 |
地址: | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种紫外发光二极管及制备方法。该装置包括发光层、位于发光层一侧的P型层以及位于发光层另一侧的N型层,所述P型层上间隔开设有若干通孔,所述各通孔从P型层向下贯穿发光层,所述各通孔内设有N电极,N电极的一端延伸出P型层形成N端电极,另一端与N型层电连接,所述N电极的外周面覆盖有第一绝缘层,第一绝缘层使N电极分别与P型层、发光层之间绝缘。由于N电极设置在通孔内,N端电极与P型层的电极端位于同侧,便于接线,同时便于光线传播,又由于第一绝缘层与反光的N电极存在,发光层的光线被N电极反射,实现最大程度的平面内光散射,提高了出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种紫外发光二极管,其特征在于:包括发光层、位于发光层一侧的P型层以及位于发光层另一侧的N型层,所述P型层的表面设有裸露面,裸露面上设有与P型层电连接的P电极,P型层上间隔开设有若干通孔,所述各通孔从P型层向下贯穿发光层,所述各通孔内设有N电极,N电极的一端延伸出P型层形成N端电极,另一端与N型层电连接,所述N电极的外周面覆盖有第一绝缘层,第一绝缘层使N电极分别与P型层、发光层之间绝缘。
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