[发明专利]用于远程等离子体处理的室调节有效
| 申请号： | 201711372325.2 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108461374B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王德琪;刘刚;阿南德·查德拉什卡;杨宗翰;约翰·W·格里斯沃尔德 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 远程 等离子体 处理 调节 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：在远程等离子体处理室上执行调节处理，所述调节处理包括：将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体；将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室，其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头，并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间，并且其中在所述调节处理期间，在所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底；在执行所述调节处理之后，将制造衬底引入所述远程等离子体处理室；以及将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。
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