[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201711373151.1 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108242471B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 洪熙范;洪彰敏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括鳍状物、第一栅电极至第四栅电极、第一存储器件和第二存储器件、第一搜索端子和第二搜索端子、以及第一虚设搜索端子和第二虚设搜索端子。鳍状物在第一方向上延伸。栅电极交叉鳍状物。存储器件与栅电极连接。第一搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。第二搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开不同于第一距离的第二距离。第一虚设搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第二距离。第二虚设搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的鳍状物；交叉所述鳍状物的第一栅电极至第四栅电极；分别与所述第一栅电极和所述第四栅电极连接的第一存储器件和第二存储器件；第一搜索端子，其与所述第二栅电极连接并与所述鳍状物间隔开第一距离；第二搜索端子，其与所述第三栅电极连接并与所述鳍状物间隔开不同于所述第一距离的第二距离；第一虚设搜索端子，其与所述第二栅电极连接并与所述鳍状物间隔开所述第二距离；以及第二虚设搜索端子，其与所述第三栅电极连接并与所述鳍状物间隔开所述第一距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711373151.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
