[发明专利]电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法

摘要

本发明提供一种电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法，包括提供半导体衬底，于半导体衬底上形成牺牲层及支撑层；形成具有窗口的图形化掩膜层，并于牺牲层及支撑层内形成电容孔；于电容孔的底部及侧壁形成下电极层，去除牺牲层；于下电极层的内表面以及外表面形成电容介质层，于电容介质层的表面形成上电极内衬层；于上电极内衬层表面形成上电极填孔体，于上电极填孔体表面形成上电极覆盖层。通过上述方案，本发明改变了金属接触层与导线层的制备顺序，解决了填充材料层时出现提早封口的问题，改进了上电极填孔体的填充，改善了电连接性能，形成缓冲腔，释放结构材料层内的应变，避免工艺制程中因热膨胀挤压等而使电容器变形的问题。

主权项

一种电容器阵列结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底包含若干个位于内存数组结构中的电容接触节点，于所述半导体衬底上形成交替叠置的牺牲层及支撑层；2)于步骤1)得到的结构上形成具有阵列排布的窗口的图形化掩膜层，并基于所述图形化掩膜层刻蚀所述牺牲层及所述支撑层，以形成与所述窗口对应的电容孔，所述电容孔显露所述电容接触节点；3)于所述电容孔的底部及侧壁形成下电极层，并去除所述牺牲层，以显露所述下电极层的外表面；4)于所述下电极层的内表面以及显露的外表面形成电容介质层，并于所述电容介质层的表面形成上电极内衬层；5)于所述上电极内衬层的表面形成上电极填孔体，所述上电极填孔体填充于所述下电极层之间及所述下电极层内的间隙并延伸覆盖所述上电极内衬层；以及6)于所述上电极填孔体表面形成上电极覆盖层。