[发明专利]一种面向NB_loT的低功耗无线射频前端集成电路有效
申请号: | 201711373682.0 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108183718B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 唐枋 | 申请(专利权)人: | 重庆湃芯微电子有限公司 |
主分类号: | H04B1/16 | 分类号: | H04B1/16;H04B1/10 |
代理公司: | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人: | 吴从吾 |
地址: | 400000 重庆市九龙坡区石桥铺石杨路1*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种面向NB_loT的低功耗无线射频前端集成电路;包括低噪声放大器、混频器、中频滤波器和中频放大器;在现有的接收机结构中,超外差式的接收机结构复杂、功耗较大,因此只有零中频结构最直接自然;因此本发明采用零中频结构,运用在sub 1G的较低频率范围内,以实现低功耗和高集成度。同时针对零中频结构特有的直流失调等问题,本发明通过引入一种直流负反馈的技术来消除直流失调的影响。 | ||
搜索关键词: | 零中频结构 低功耗 前端集成电路 接收机结构 无线射频 直流失调 低噪声放大器 直流负反馈 中频放大器 中频滤波器 超外差式 高集成度 低频率 混频器 功耗 引入 | ||
【主权项】:
1.一种面向NB_loT的低功耗无线射频前端集成电路,包括低噪声放大器、混频器、中频滤波器和中频放大器;天线端接收的射频信号经过低噪声放大器放大输出到混频器中,与两路互为正交的本振信号混频,产生两路基带信号;通过中频滤波器滤除无用的谐波信号,最后在中频放大器中放大输出;其特征在于:所述低噪声放大器处于接收链路的第一级,用于对天线端进来的射频信号进行放大;低噪声放大器电路由信号电平放大主体部分和共模反馈部分组成;低噪声放大器的组成包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、电容C1、C2、电阻R1、R2、R3、R4;MOS管M1、M2,M5、M6共栅,电路采用两级共栅级结构,MOS管M1、M2、M13的源极接地;电阻R1、R2连接MOS管M3、M4的栅级;电路采用两级共栅级结构,能够有效降低沟长效应对输入阻抗的影响,MOS管M7、M8构成恒流源做有源负载;电路中加入共模反馈结构稳定了输出共模电压;共栅电路的输入阻抗较低,方便匹配到50阻抗;恒流源的负载阻抗很大,从而有利于提高低噪声放大器的增益,降低噪声系数。
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