[发明专利]一种面向NB_loT的低功耗无线射频前端集成电路有效

专利信息
申请号: 201711373682.0 申请日: 2017-12-19
公开(公告)号: CN108183718B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 唐枋 申请(专利权)人: 重庆湃芯微电子有限公司
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16;H04B1/10
代理公司: 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 代理人: 吴从吾
地址: 400000 重庆市九龙坡区石桥铺石杨路1*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种面向NB_loT的低功耗无线射频前端集成电路;包括低噪声放大器、混频器、中频滤波器和中频放大器;在现有的接收机结构中,超外差式的接收机结构复杂、功耗较大,因此只有零中频结构最直接自然;因此本发明采用零中频结构,运用在sub 1G的较低频率范围内,以实现低功耗和高集成度。同时针对零中频结构特有的直流失调等问题,本发明通过引入一种直流负反馈的技术来消除直流失调的影响。
搜索关键词: 零中频结构 低功耗 前端集成电路 接收机结构 无线射频 直流失调 低噪声放大器 直流负反馈 中频放大器 中频滤波器 超外差式 高集成度 低频率 混频器 功耗 引入
【主权项】:
1.一种面向NB_loT的低功耗无线射频前端集成电路,包括低噪声放大器、混频器、中频滤波器和中频放大器;天线端接收的射频信号经过低噪声放大器放大输出到混频器中,与两路互为正交的本振信号混频,产生两路基带信号;通过中频滤波器滤除无用的谐波信号,最后在中频放大器中放大输出;其特征在于:所述低噪声放大器处于接收链路的第一级,用于对天线端进来的射频信号进行放大;低噪声放大器电路由信号电平放大主体部分和共模反馈部分组成;低噪声放大器的组成包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、电容C1、C2、电阻R1、R2、R3、R4;MOS管M1、M2,M5、M6共栅,电路采用两级共栅级结构,MOS管M1、M2、M13的源极接地;电阻R1、R2连接MOS管M3、M4的栅级;电路采用两级共栅级结构,能够有效降低沟长效应对输入阻抗的影响,MOS管M7、M8构成恒流源做有源负载;电路中加入共模反馈结构稳定了输出共模电压;共栅电路的输入阻抗较低,方便匹配到50阻抗;恒流源的负载阻抗很大,从而有利于提高低噪声放大器的增益,降低噪声系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆湃芯微电子有限公司,未经重庆湃芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711373682.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top