[发明专利]基于体异质结-分层结构的高性能有机晶体管光电探测器有效
| 申请号： | 201711373786.1 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108258118B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李佳;高源鸿;易亚;喻学锋 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 耿慧敏 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于体异质结‑分层结构的高性能有机晶体管光电探测器，包括衬底及依次设置在衬底上的栅极、栅极介电层、单分子自组装层、沟道半导体层和电荷传输层，所述电荷传输层上的部分区域还设置有源电极和漏电极，所述电荷传输层上的源电极和漏电极之间的沟道区域还设置有体异质结吸光层。本发明的有机晶体管光电探测器基于上述特定的分层结构，能充分利用CTE效应，有效分离光生激子并减少其复合几率，保证电荷载流子在沟道中的高效传输，明显提升OPTs器件的光探测灵敏度等综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 体异质结 分层 结构 性能 有机 晶体管 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于体异质结‑分层结构的高性能有机晶体管光电探测器，其特征在于，包括衬底及依次设置在衬底上的栅极、栅极介电层、单分子自组装层、沟道半导体层和电荷传输层，所述电荷传输层上的部分区域设置有源电极和漏电极，所述电荷传输层上的源电极和漏电极之间的沟道区域还设置有体异质结吸光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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