[发明专利]一种Si掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法在审
| 申请号： | 201711373973.X | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108277501A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 董振标;丁冬雁;李婷;宁聪琴 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B11/10;C25B1/04;C25D11/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 乐卫国 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法。通过阳极氧化Si质量分数为1％～10％的Ti‑Si合金制得0.5wt.％～2.0wt.％Si掺杂二氧化钛纳米管，所得纳米管阵列在500～625℃下热处理退火2小时得到锐钛矿晶型结构或锐钛矿/金红石混合晶型结构的Si掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极。本发明的Si掺杂二氧化钛纳米管阵列在可见光区域表现出较强的吸收，电极稳定性好，光解水制氢效率可高达0.57％,光解水制氢效率明显优于未掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钛纳米管阵列 光阳极 掺杂 光解水制氢 制备 二氧化钛纳米管 退火 电极稳定性 可见光区域 纳米管阵列 锐钛矿晶型 热处理 混合晶型 阳极氧化 质量分数 合金制 金红石 锐钛矿 未掺杂 吸收 表现 | ||
【主权项】：
1.一种Si掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，通过阳极氧化Ti‑Si合金制得Si掺杂二氧化钛纳米管，然后经过热处理退火得到0.5wt.％～2.0wt.％Si掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极。
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