[发明专利]用于硅晶圆片减薄后的低应力背面腐蚀溶液和腐蚀工艺在审
| 申请号： | 201711374696.4 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108179012A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘旸;王增智;金明辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;C09K13/04 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅晶圆片减薄后的低应力背面腐蚀溶液和腐蚀工艺，属于微电子加工技术领域。该技术主要针对超薄硅晶圆片减薄过程中因机械损伤产生残余应力,导致划片过程中硅晶圆片易碎的缺点。通过调配特制背面腐蚀液配比，采用特殊腐蚀方法，均匀去除晶圆片背面的机械损伤层，释放应力。该方法与背面金属化工艺完全兼容，可降低划片过程中的碎片率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆片 减薄 背面 腐蚀溶液 低应力 腐蚀 划片 微电子加工技术 背面金属化 机械损伤层 易碎 残余应力 机械损伤 腐蚀液 晶圆片 碎片率 配比 去除 兼容 调配 释放 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅晶圆片减薄后的低应力背面腐蚀溶液，其特征在于：按体积份数计，该腐蚀溶液包括如下组分：![]()
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