[发明专利]一种MMI型磁光隔离器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711375485.2 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108107507B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;聂立霞;刘书缘 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/138;G02B6/132 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MMI型磁光隔离器及其制备方法。本发明通过设计多模波导:沿多模波导长度方向开槽，且不开设在多模波导区域的物理中心位置，磁光材料分布于槽内，使TE模式产生非互易相移；槽的宽度小于多模波导区域的总宽度，长度使零阶模式和高阶模式的NRPS之差为π。非对称结构使高阶模式分布变得不对称，使得场分布集中在其中一侧，在单模波导激发时可以有效的提高激发效率；这一特殊结构，零阶模式和高阶模式的NRPS值反号，可以有效的减小器件尺寸。本发明有效提高了激发效率，减小了器件的插入损耗；增大了零阶模式和高阶模式的NRPS之差，减小了器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 多模波导 高阶模式 减小 零阶 磁光隔离器 激发效率 制备 非对称结构 插入损耗 磁光材料 单模波导 集成光学 不对称 场分布 开槽 相移 激发 | ||
【主权项】：
1.一种MMI型磁光隔离器，包括衬底、输入输出波导和多模波导，其特征在于：/n衬底：用于承载输入输出波导和多模波导，其折射率低于波导的芯层材料；/n输入输出波导：由半导体芯层材料和低折射率包层材料组成的单模波导，结构支持单模光传输，等效激发多模波导中的各阶模式；/n多模波导：沿多模波导长度方向开槽，且不开设在多模波导区域的物理中心位置，磁光材料分布于槽内，使TE模式产生非互易相移；槽的宽度小于多模波导区域的总宽度，长度使零阶模式和高阶模式的NRPS之差为π；/n多模波导长度的选取，使零阶模式和高阶模式正向传输是相差为π的偶数倍，模式之间干涉相长，光可以正常通过；反向传输时零阶模式和高阶模式的相位差为π的奇数倍，模式之间干涉相消，使得反向传输的光截止。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711375485.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光通信波段聚合物波导光栅耦合器及其制作方法
- 下一篇：一种耦合器及光模块
