[发明专利]一种优化晶圆边缘剥离的键合方法在审
| 申请号： | 201711376669.0 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108109907A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 曹静;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种优化晶圆边缘剥离的键合方法，其中，提供一第一晶圆，第一晶圆边缘有阶梯形结构，还包括以下步骤：于第一晶圆表面淀积一第一氧化层；于第一晶圆边缘表面淀积一第二氧化层；对第二氧化层进行平坦化；对第一晶圆进行调试；将第一晶圆的与第二晶圆的键合面对应放置进行键合；有益效果：通过一种新的填充工艺来实现对边缘光刻胶去除后造成的晶圆边缘凹坑的填充，再通过改变调试的顺序，实现了工艺上的优化，还实现了在不影响产品性能的前提下降低生产成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆边缘 键合 晶圆 氧化层 填充 调试 剥离 优化 影响产品性能 阶梯形结构 表面淀积 晶圆表面 边缘光 胶去除 平坦化 凹坑 淀积 | ||
【主权项】：
1.一种优化晶圆边缘剥离的键合方法，其特征在于，提供一第一晶圆，所述第一晶圆边缘有阶梯形结构，还包括以下步骤：步骤S1，于所述第一晶圆表面淀积一第一氧化层；步骤S2，于所述第一晶圆边缘表面淀积一第二氧化层；步骤S3，对所述第二氧化层进行平坦化，步骤S4，对所述第一晶圆进行调试；步骤S5，将所述第一晶圆的与第二晶圆的键合面对应放置进行键合。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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