[发明专利]一种利用钙钛矿量子点形核生长多晶钙钛矿薄膜方法及相关光电器件在审
| 申请号： | 201711376749.6 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108336232A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王朋;肖科;崔灿;徐凌波;林萍 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/56;H01L51/46;H01L51/54;H01L51/42;H01L51/50;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用钙钛矿量子点形核生长多晶钙钛矿薄膜的方法及相关光电器件。将含有一定浓度的钙钛矿量子点反溶剂引入到钙钛矿薄膜的前驱体溶液中，在一定的温度下处理后，通过量子点诱导形核生长多晶钙钛矿薄膜。该钙钛矿薄膜用作光吸收层(或载流子复合)层，采用p‑i‑n或n‑i‑p结构，引入电子传输(或注入)层、空穴传输(或注入)层及电极等，制备得到钙钛矿太阳能电池(或钙钛矿发光二极管)。本发明方法简单，工艺兼容性好，并显著提高了钙钛矿薄膜的结晶质量，提升了太阳能电池的光电转换效率和发光二极管器件的发光效率等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿薄膜 钙钛矿 量子点 多晶 太阳能电池 光电器件 形核生长 发光二极管器件 光电转换效率 发光二极管 工艺兼容性 前驱体溶液 载流子复合 电子传输 发光效率 光吸收层 空穴传输 诱导形核 电极 引入 反溶剂 制备 生长 | ||
【主权项】：
1.一种利用钙钛矿量子点形核生长多晶钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，采用反溶剂法制备钙钛矿薄膜，且反溶剂中粒径≤100nm的钙钛矿量子点，浓度为0.001～5mg/ml。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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