[发明专利]一种硅球面微凸块刻蚀方法有效
申请号: | 201711376846.5 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108128751B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 杨涛;刘杰;戴鑫 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 唐静芳 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅球面微凸块刻蚀方法,所述硅球面微凸块刻蚀方法包括:准备普通硅片,作为用于刻蚀的衬底;在所述衬底上依次进行正性光刻胶的涂布、曝光、显影,形成预设图形;调整光刻胶的烘烤温度,得到光刻胶微凸包结构;匹配光刻胶的厚度和选择比;对光刻胶进行干法刻蚀,刻蚀过程中光刻胶逐步消耗;以及计算光刻胶与硅的刻蚀选择比,得到目标高度的硅球面微凸块结构。本发明的硅球面微凸块刻蚀方法有利于缩短工艺的研发周期和减小成本,而且适用的制备对象较多,具有工艺开发效率高、易于工艺集成和通用性较好的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 球面 微凸块 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种硅球面微凸块刻蚀方法,其特征在于,包括:准备普通硅片,作为用于刻蚀的衬底;在所述衬底上依次进行正性光刻胶的涂布、曝光、显影,形成预设图形;调整光刻胶的烘烤温度,得到光刻胶微凸包结构;匹配光刻胶的厚度和选择比;对光刻胶进行干法刻蚀,刻蚀过程中光刻胶逐步消耗;计算光刻胶与硅的刻蚀选择比,得到目标高度的硅球面微凸块结构。
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