[发明专利]一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列的方法有效
| 申请号： | 201711377375.X | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109935684B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列的方法，通过在磁性隧道结多层膜和硬掩模层之间添加一层缓冲膜层，并在缓冲膜层侧壁留下收集溅射副产物的凹槽，从而使刻蚀副产物尽量少的到达磁性隧道结的底部。该方法包括如下步骤：步骤一、提供CMOS基底，并在基底上沉积底电极层、磁性隧道结多层膜、缓冲膜层和硬掩模层；步骤二、图形化定义磁性隧道结图案，转移图案到缓冲膜层的顶部；步骤三、刻蚀缓冲膜层，并对缓冲膜层的侧壁进行过刻蚀；步骤四、对磁性隧道结多层膜和底电极层进行刻蚀。采用这种结构，增加了刻蚀/沉积速率比，非常有利于磁性隧道的小型化和进行高密度磁性随机存储器阵列的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 超小型 高密度 磁性 随机 存储器 单元 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作磁性随机存储器单元阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供CMOS基底，并在所述基底上沉积底电极层、磁性隧道结多层膜、缓冲膜层和硬掩模层；步骤二、图形化定义磁性隧道结图案，并且转移所述图案到所述缓冲膜层的顶部；步骤三、刻蚀所述缓冲膜层，并对所述缓冲膜层的侧壁进行过刻蚀；步骤四、对所述磁性隧道结多层膜和所述底电极层进行刻蚀。
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