[发明专利]一种基于快速局域电沉积的引线键合方法有效
申请号: | 201711377902.7 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108054108B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 郑振;王春青;孔令超;刘威 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C25D5/02 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于快速局域电沉积的引线键合方法,属于引线连接技术领域。所述方法如下:选择待键合的新型引线材料,并对其改性;通过微纳操作平台将引线材料放置于焊盘表面,保证引线与焊盘表面有良好的接触;选择局域电沉积精密移液滴加管口径及滴加管内阳极金属种类,确保电镀阴极端探针与焊盘良好接触;通过局域电沉积方法在焊盘表面形成完全包覆引线材料的金属镀层;完成所有焊盘表面电沉积引线键合后,对整体器件进行清洗。本发明相对于传统引线键合工艺,可以实现新型引线材料的可靠引线键合,整个键合过程无需加热连接,无热损伤和机械损伤,具有工艺流程简单,键合速度快,适用于各种焊盘材料,连接层金属种类选择范围大等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 快速 局域 沉积 引线 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于快速局域电沉积的引线键合方法,其特征在于:所述方法具体步骤如下:步骤一:选择待键合的引线材料;步骤二:对步骤一所选择的引线材料进行表面改性;步骤三:将表面改性后的引线材料,通过微纳操作平台放置于焊盘表面,保证引线两端位于焊盘表面的中心处,并保证引线两端与焊盘表面有良好的接触;步骤四:选择局域电沉积精密移液滴加管口径,滴加管口孔径的选择范围为大于需加工焊盘面积的1/5,小于焊盘面积的2/3;根据电沉积金属种类选择局域电沉积溶液滴加管内阳极金属种类,确保电镀阴极端探针与焊盘良好接触;步骤五:通过局域电沉积方法在焊盘表面形成完全包覆引线材料的金属镀层;步骤六:完成所有焊盘表面电沉积引线键合后,对整体器件进行清洗,除去表面残留电沉积溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711377902.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:供电装置
- 下一篇:气缸盖罩内置油气分离系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造