[发明专利]用于光学邻近效应修正的计算光刻方法及系统有效
申请号: | 201711378505.1 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN109932864B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 屈小春;王珺 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于光学邻近效应修正的计算光刻方法。所述计算光刻方法将输入的版图设计文件按照工艺因子的值分解成第一布局部分和第二布局部分,其中,所述第一布局部分的工艺因子低于预设阈值,所述第二布局部分的工艺因子大于所述预设阈值;接着对所述第一布局部分和所述第二布局部分分别进行处理;然后,匹配及合并已处理的所述第一布局部分和所述第二布局部分。由于对第一布局部分和第二布局部分分开进行处理,提高了处理品质,因而不再需要迭代执行检验光学邻近效应修正步骤和热点修正步骤,从而提高了版图设计文件的输出速度。本发明还提供一种用于光学邻近效应修正的计算光刻系统。 | ||
搜索关键词: | 用于 光学 邻近 效应 修正 计算 光刻 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于光学邻近效应修正的计算光刻方法,包括:分解步骤,所述分解步骤包括将输入的版图设计文件按照工艺因子的值分解为第一布局部分和第二布局部分,其中,所述第一布局部分的工艺因子低于预设阈值,且所述第二部分的工艺因子大于所述预设阈值;处理步骤,所述处理步骤包括分别处理所述第一布局部分和所述第二布局部分;以及匹配及合并步骤,所述匹配及合并步骤包括匹配及合并已处理的所述第一布局部分和所述第二布局部分。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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