[发明专利]一种薄层金属锂基负极的制备方法在审
申请号: | 201711378721.6 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108063218A | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 吴睿哲;程冰冰;李正;陈大鹏;田文增 | 申请(专利权)人: | 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所) |
主分类号: | H01M4/1395 | 分类号: | H01M4/1395;H01M4/08;H01M4/04;H01M10/052;H01M6/14 |
代理公司: | 武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙) 42221 | 代理人: | 刘念涛;宋国荣 |
地址: | 430064 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及现代电池技术领域,具体公开了一种薄层金属锂基负极的制备方法,负极先以铜箔集流体作为基底,采用化学气相沉积法在铜箔集流体表面合成单层石墨烯薄膜,以此石墨烯/铜作为阴极与作为阳极锂源的富锂材料或锂盐组装成电解池,并注入电解液后密封,再以较低的电流密度进行电沉积,经过合适的反应时间后拆解电解池,即可在阴极部分得到镀有均匀薄层金属锂的锂基负极;采用本发明的方法,可以实现金属锂的均匀沉积,同时克服直接在铜集流体表面沉积锂导致的大量锂枝晶的生成,从而得到更安全稳定的锂负极材料来应用于锂一次和二次电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄层 金属 负极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄层金属锂基负极的制备方法,其特征在于:先以铜箔集流体作为基底,采用化学气相沉积法在铜箔集流体表面合成单层石墨烯薄膜,以此石墨烯/铜作为阴极与作为阳极的富锂材料或锂盐组装成电解池,并注入电解液后密封,再以较低的电流密度进行电沉积,经过合适的反应时间后拆解电解池,即得到薄层金属锂基负极。
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