[发明专利]包括一或多个非易失存储器单元的半导体结构及形成方法

摘要

本发明涉及包括一或多个非易失存储器单元的半导体结构及形成方法，其中，一种半导体结构包括：包括半导体材料的支持衬底、位于该支持衬底上方的埋置绝缘层、位于该埋置绝缘层上方的半导体层，该半导体层具有上表面及下表面，该下表面位于该埋置绝缘层上，以及至少一个非易失存储器单元。该非易失存储器单元包括沟道区、前栅极结构、掺杂背栅区以及电荷储存材料。该沟道区位于该半导体层中。该前栅极结构位于该沟道区及该半导体层的该上表面上方。该掺杂背栅区位于该沟道区下方的该支持衬底中。该电荷储存材料至少嵌入该沟道区与该背栅区之间的该埋置绝缘层的部分中。

主权项

1.一种半导体结构，包括：包括半导体材料的支持衬底、位于该支持衬底上方的埋置绝缘层以及位于该埋置绝缘层上方的半导体层，该半导体层具有上表面及下表面，该下表面位于该埋置绝缘层上；以及至少一个非易失存储器单元，该至少一个非易失存储器单元包括：沟道区，位于该半导体层中；前栅极结构，位于该沟道区及该半导体层的该上表面上方；掺杂背栅区，位于该沟道区下方的该支持衬底中；以及电荷储存材料，至少嵌入该沟道区与该背栅区之间的该埋置绝缘层的部分中。