[发明专利]场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了一种场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。场效应晶体管包括第一导电类型重掺杂衬底和第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型外延层。第一导电类型外延层的中间向上延伸形成有凸起区域，在凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域。在第一导电类型外延层上的预设中心区域设置有硅槽，在硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成有第二导电类型第一沟道阱区和在第二区域上形成有第二导电类型第二沟道阱区。第二导电类型第一沟道阱区内设置有注入第一导电类型后退火形成的第一源区。第二导电类型第二沟道阱区设置有注入第一导电类型后退火形成的第二源区。以提高场效应晶体管的雪崩耐量。

主权项

一种场效应晶体管，其特征在于，包括第一导电类型重掺杂衬底和所述第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的中间向上延伸形成有凸起区域，在所述凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域，在所述第一导电类型外延层上的预设中心区域设置有硅槽，在所述硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成有第二导电类型第一沟道阱区和在所述第二区域上形成有第二导电类型第二沟道阱区，所述第二导电类型第一沟道阱区内设置有注入所述第一导电类型后退火形成的第一源区，所述第二导电类型第二沟道阱区设置有注入所述第一导电类型后退火形成的第二源区，其中，当发生雪崩时，雪崩产生的一部分空穴电流流经所述第一源区和所述第二源区的下方，使得所述第二导电类型第一沟道阱区和所述第一源区形成第一压差，所述第二导电类型第二沟道阱区和所述第二源区形成第二压差，通过所述第一压差及所述第二压差诱导雪崩发生的位置，以提高所述场效应晶体管的雪崩耐量。