[发明专利]基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711382637.1 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108091734A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片及其制备方法，该制备方法包括：(a)在蓝宝石衬底上制作蓝光外延层；蓝光外延层包括GaN材料；(b)在蓝光外延层中分别制作红光外延层、绿光外延层及黄光外延层；红光外延层、绿光外延层及黄光外延层均包括GaN材料；(c)在蓝光外延层、红光外延层、绿光外延层及黄光外延层上表面制作第一电极；(d)在第一电极表面制作反光层；(e)在反光层表面键合导电衬底；(f)去除蓝宝石衬底，在蓝光外延层、红光外延层、绿光外延层及黄光外延层下表面制作第二电极。本发明提供的基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片，在单芯片能产生四种颜色的光，在后续进行封装时可以减少荧光粉的用量；此外，该制备工艺相对简单，可行性高。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 蓝光 红光 黄光 绿光 垂直结构 衬底 四色 制备 制作 蓝宝石 第一电极 荧光粉 反光层表面 第二电极 制备工艺 单芯片 反光层 上表面 下表面 导电 封装 键合 去除 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：(a)在蓝宝石衬底上制作蓝光外延层；所述蓝光外延层包括GaN材料；(b)在所述蓝光外延层中分别制作红光外延层、绿光外延层及黄光外延层；所述红光外延层、所述绿光外延层及所述黄光外延层均包括GaN材料；(c)在所述蓝光外延层、所述红光外延层、所述绿光外延层及所述黄光外延层上表面制作第一电极；(d)在所述第一电极表面制作反光层；(e)在所述反光层表面键合导电衬底；(f)去除所述蓝宝石衬底，在所述蓝光外延层、所述红光外延层、所述绿光外延层及所述黄光外延层下表面制作第二电极。
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