[发明专利]基于多量子阱的GaN横向LED的器件结构在审
| 申请号： | 201711382791.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108123015A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/36 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于多量子阱的GaN横向LED的器件结构。该器件结构包括：蓝宝石衬底10；GaN蓝光外延层11，设置于所述蓝宝石衬底10上；多个黄光灯芯槽，依次间隔设置于所述GaN蓝光外延层11内；GaN黄光外延层21，设置于所述黄光灯芯槽中；第一正电极23，设置于所述GaN蓝光外延层11上；第二正电极24，设置于所述GaN黄光外延层21上钝化层，设置于所述GaN蓝光外延层11、所述GaN黄光外延层21、第一正电极23以及第二正电极24上。本发明通过将多种色彩的外延层设置在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 黄光 正电极 蓝光 器件结构 多量子阱 蓝宝石 衬底 灯芯 荧光粉 发光效率 间隔设置 集成度 钝化层 涂覆 | ||
【主权项】：
一种基于多量子的GaN横向LED的器件结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底(10)；GaN蓝光外延层(11)，设置于所述蓝宝石衬底(10)上；多个黄光灯芯槽，依次间隔设置于所述GaN蓝光外延层(11)内；GaN黄光外延层(21)，设置于所述黄光灯芯槽中；第一正电极(23)，设置于所述GaN蓝光外延层(11)上；第二正电极(24)，设置于所述GaN黄光外延层(21)上；钝化层，设置于所述GaN蓝光外延层(11)、所述GaN黄光外延层(21)、第一正电极(23)以及第二正电极(24)上。
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